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微間距LED大屏技術(shù)取得突破

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        近日,HKC惠科在高端顯示領(lǐng)域取得重大突破,成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 (SiMiP)在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。該技術(shù)基于立琻半導(dǎo)體SiMiP芯片基礎(chǔ)上的共同研發(fā),提升了生產(chǎn)效率與顯示效果。

       基于微間距LED大屏直顯領(lǐng)域迅速發(fā)展, 伴隨著像素間距的進(jìn)一步微縮,縮小芯片在COB產(chǎn)品的需求急速提升。MiP方案成為微間距大屏直顯技術(shù)發(fā)展的選擇之一。

圖片來源:惠科

        惠科與立琻半導(dǎo)體融合雙方在芯片, 顯示方案及產(chǎn)業(yè)鏈資源上的核心優(yōu)勢,成功推動SiMiP芯片技術(shù)的應(yīng)用落地。此次研發(fā)的SiMiP技術(shù)通過單芯集成紅綠藍(lán)三基色像元,簡化生產(chǎn)與修復(fù)工藝,該技術(shù)可大幅提高微間距LED顯示模組生產(chǎn)的直通良率,顯著降低生產(chǎn)成本,兼具高性能和成本的優(yōu)勢。

       據(jù)介紹,SiMiP采用單芯片集成方案,無需復(fù)雜的巨量轉(zhuǎn)移和修復(fù)工藝,直通良率顯著提高;通過創(chuàng)新技術(shù)路線,減少傳統(tǒng)工藝中的復(fù)雜環(huán)節(jié),同時避免使用有毒材料,更具環(huán)保優(yōu)勢;紅綠藍(lán)三基色像元在發(fā)光波長、工作電壓及出光分布上具有高度一致性,從根本上解決了傳統(tǒng)方案的色偏問題。

(來源:HKC惠科)

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